磷合金化：控制铁磁(Ga,Mn)(As,P)层中的磁各向异性
材料科学
2009-08-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
GaMnAs薄膜的磷合金化已被用于操纵铁磁Ga0.93Mn0.07As1-yPy层中的磁各向异性。我们确定了在Mn掺杂水平约为7 at%时，磷合金化水平在0到8.8 at%之间随温度变化的各向异性常数。我们表明，通过磷合金化（y<6 at%或y>6 at%），可以获得具有稳健铁磁性以及面内或面外易轴且磁化重取向势垒较小的层。磷合金化并未显著提高临界温度。
引用
@article{arxiv.0908.0063,
title = {Phosphorous alloying: controlling the magnetic anisotropy in ferromagnetic (Ga,Mn)(As,P) Layers},
author = {M. Cubukcu and H. J. von Bardeleben and Kh. Khazen and J. L. Cantin and O. Mauguin and L. Largeau and A. Lemaitre},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.0063},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 3 figures