(Ga,Mn)As 中自旋重取向跃迁的 FMR 参数区间识别
介观与纳米尺度物理
2023-07-19 v1
摘要
本文报告了对沉积在 (001) 取向 GaAs 上的 6% 掺杂、15 nm 厚 (Ga,Mn)As 层的铁磁共振 (FMR) 研究结果。测量在面内取向磁场下进行，温度范围为 5K 至 120K。我们观察到，在接近居里温度时，有效面内易轴发生了由温度诱导的从 [-110] 到 [110] 方向的重取向。磁化行为由各向异性场 ()、 和 描述。为了精确研究这一重取向，我们利用强大但尚鲜为人知的区间计算确定了各向异性场的数值。在模拟模式下，该方法能够找到任意取向样品的所有共振场，而这通常在解析上是难以处理的。在“拟合”模式下，我们有效利用了完整的实验信息，而不仅限于在特殊区分方向上进行的测量，从而可靠地估算重要物理参数的值及其不确定性和相关性。
引用
@article{arxiv.1201.2836,
title = {Interval identification of FMR parameters for spin reorientation transition in (Ga,Mn)As},
author = {M. W. Gutowski and W. Stefanowicz and O. Proselkov and J. Sadowski and M. Sawicki and R. Zuberek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.2836},
year = {2023}
}
备注
3 pages, 3 figures. Presented at The European Conference "Physics of Magnetism 2011" (PM'11), June 27 - July 1, 2011, Poznan, Poland