薄巡游电子薄膜中的铁磁性及温度驱动的再取向转变
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
迄今为止仅通过海森堡型模型研究的温度驱动再取向转变，本文在巡游电子模型内进行了研究。我们考虑了薄fcc(100)薄膜的Hubbard模型，以及偶极相互作用和依赖于层的各向异性场。模型的各向同性部分通过谱密度方法推广到薄膜几何结构来处理。薄膜的磁性作为温度和薄膜厚度的函数进行研究，并借助自旋和层相关的准粒子态密度进行详细分析。通过计算二阶各向异性常数的温度依赖性，我们发现两种类型的再取向转变——从面外到面内（“Fe型”）和从面内到面外（“Ni型”）磁化——在我们的模型中都是可能的。在后一种情况下，包含正的体积各向异性至关重要。再取向转变由表面磁化相对于内层随温度的强烈降低所介导，并发现其显著依赖于总带占据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9804301,
title = {Ferromagnetism and Temperature-Driven Reorientation Transition in Thin Itinerant-Electron Films},
author = {T. Herrmann and M. Potthoff and W. Nolting},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9804301},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 8 figures included (eps), Phys Rev B in press