薄 Hubbard 薄膜中的铁磁性及温度依赖电子结构
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
在强相关单带 Hubbard 模型中，研究了薄型铁磁性它程电子薄膜的磁行为。为其近似求解，我们应用了修正合金类比 (MAA) 的推广形式，以处理由于平移对称性减小时所导致的修正。该理论基于强库仑相互作用极限下的精确结果，这对于可靠描述铁磁性至关重要。在 MAA 框架下，实际的合金类比类型由自洽地决定。MAA 特别允许研究参数磁性相以及铁磁性相中的准粒子寿命效应。对于薄 fcc(100) 和 fcc(111) 薄膜，讨论了作为函数的层磁化以及薄膜厚度。发现表层的磁化减小于内部层，减小在 fcc(100) 薄膜中大于 fcc(111) 薄膜。这种磁行为可通过层相关的谱密度和准粒子态密度来从微观上理解。准粒子寿命对应于谱密度中准粒子峰的宽度，发现其在自旋和温度上都 strongly 依赖。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9812151,
title = {Ferromagnetism and the temperature-dependent electronic structure in thin Hubbard films},
author = {T. Herrmann and W. Nolting},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812151},
year = {2009}
}
备注
22 pages, LaTeX, IOP-style, 7 figures, for related work and info see http://orion.physik.hu-berlin.de