薄磁性薄膜的温度依赖电子结构与磁力稳定性
强关联电子
2015-06-24 v1
摘要
我们研究了薄磁性局域矩薄膜中电子结构的关联效应和温度依赖性。在第一步中，研究了Kondo晶格模型作为局域矩磁性体的恰当表征。推导了磁性和电子关键量，如铁磁临界温度和准粒子密度态。证明磁性特性可仅依据温度依赖的电子准粒子结构来解释。扩展的RKKY理论导致有效的海森堡交换积分，这些积分最终成为导电电子自能函数的泛函，从而具有显著的温度和带占据依赖性。在第二步中，将模型研究与紧束缚-LMTO能带结构计算相结合，以获得实际磁性薄膜的准粒子密度态和准粒子能带结构。该方法避免了相关相互作用的双计数，并考虑了原子轨道的正确对称性。特别地，给出薄磁EuO(100)薄膜的结果。EuO薄膜的铁磁临界温度T_C显著依赖于薄膜厚度，从单层约15K的极低值开始，约30层时达到体值。在20层薄膜中，我们预测表面态的存在，其温度行为可能导致表面半金属-绝缘体相变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0203417,
title = {Temperature-dependent electronic structure and magnetic stability of thin ferromagnetic films},
author = {W. Nolting and C. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203417},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 7 figures