Kondo 格子模型：对 EuO(100) 薄膜温度依赖电子结构的应用
强关联电子
2009-11-07 v2
摘要
我们对 EuO 薄磁性薄膜的温度依赖电子结构和磁性属性进行了计算。该方法结合了多带 Kondo 格子模型与第一性原理 TB-LMTO 能带结构计算。该方法避免了相关相互作用的双计数问题，并考虑了原子轨道的正确对称性。我们以准粒子密度态和准粒子能带结构讨论 EuO(100) 薄膜的温度依赖电子结构。EuO 薄膜的柯里温度 Tc 随薄膜厚度而强烈依赖，从单层薄膜的 15K 开始，约 25 层时达到体块值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106295,
title = {Kondo-lattice model: Application to the temperature-dependent electronic structure of EuO(100) films},
author = {R. Schiller and W. Mueller and W. Nolting},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106295},
year = {2009}
}