铁磁半导体薄膜的温度相关能带结构
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
在s-f模型框架内研究了铁磁薄膜的电子准粒子谱。从单个电子在原本空的导带中与铁磁饱和局域自旋系统交换耦合的精确可解情况出发,我们将理论推广到有限温度。我们的方法是对适当定义的格林函数进行矩守恒退耦过程。有限温度理论从精确极限情况连续演化而来。限制为零导带占据可被视为对EuO和EuS等铁磁半导体的恰当模型描述。对平行于(100)晶面切割的简单立方薄膜进行评估理论,我们发现了一些显著的关联效应,这些效应取决于测试电子的自旋、交换耦合以及局域矩系统的温度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907049,
title = {The temperature dependent bandstructure of a ferromagnetic semiconductor film},
author = {R. Schiller and W. Nolting},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907049},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 9 figures