铁磁半导体 - 单瓣（或三瓣）超导体 - 铁磁半导体系统作为可能的逻辑电路和开关

我们考虑了厚度为 d $\ll \xi_{0}$ 的薄型超导（S）薄膜, 夹在两个磁化方向不同的铁磁半导体绝缘体（FI）之间 — — FI-S-FI 系统。我们计算了铁磁体中磁化方向以及超导体薄膜厚度对超导临界温度的影响。计算分别针对单瓣和三瓣超导体进行。在单瓣情况下, $T_c$ 仅取决于左侧和右侧磁化方向的相对关系;而在三瓣情况下, $T_c$ 取决于磁化的绝对方向。后者属性可作为三瓣和非约翰逊超导体的一种自旋光谱手段, 例如在最近发现的层状超导体 Sr$_{2}$RuO$_{4}$ 中解析三瓣序包浆的结构。我们也分析了基于 FI-S-FI 系统构建的逻辑电路和开关的可能性, 这些系统中 FI 薄膜的磁化方向是任意的。