开路电边界条件下铁电半导体薄膜的有限尺寸效应
材料科学
2015-06-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
利用Landau-Ginzburg-Devonshire理论和连续介质静电学，分析了开路电边界条件下铁电半导体薄膜中有限尺寸效应的一般特征。与短路薄膜相比，开路薄膜的临界厚度、自发极化和退极化场分布的温度依赖性显著不同。特别地，我们预测了由于内部屏蔽效率降低导致的单畴与多畴铁电态之间的重入型转变边界，并分析了该机制可能产生的实验情景。该分析与自支撑铁电薄膜的行为以及基于扫描探针显微镜的自由铁电表面实验相关。
引用
@article{arxiv.1404.6069,
title = {Finite size effects in ferroelectric-semiconductor thin films under open-circuited electric boundary conditions},
author = {Eugene A. Eliseev and Sergei V. Kalinin and Anna N. Morozovska},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.6069},
year = {2015}
}
备注
28 pages, 5 figures, 1 table and supplementary material Accepted to the Journal of Applied Physics