具有非公度相的薄膜铁电薄膜中的相图与畴分裂
材料科学
2015-05-14 v1
摘要
我们在Landau-Ginzburg-Devonshire理论框架内，研究了具有非公度相和半导体性质的薄膜铁电薄膜的相图。对覆盖有完美电极的薄膜中出现的非公度180度畴结构的周期对温度和厚度的依赖性，我们进行了解析计算和相场建模。研究发现，从顺电相到非公度相的转变温度以及非公度畴结构的周期强烈依赖于薄膜厚度，以及表面和梯度能贡献。该结果可为具有内禀非公度相的纳米尺度铁电体中畴结构的温度依赖性提供深入见解。
引用
@article{arxiv.0912.4423,
title = {Phase Diagrams and Domain Splitting in Thin Ferroelectric Films with Incommensurate Phases},
author = {A. N. Morozovska and E. A. Eliseev and JianJun Wang and G. S. Svechnikov and Yu. M. Vysochanskii and Venkatraman Gopalan and Long-Qing Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4423},
year = {2015}
}
备注
22 pages, 5 figures, 2 appendices