MgO 衬底上铁电 Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 薄膜的畴结构序列

Pierre-Eymeric Janolin; Françoise Le Marrec; Erling Ringgaard; Bernard Fraisse; Brahim Dkhil

MgO 衬底上铁电 Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 薄膜的畴结构序列

材料科学 2007-05-23 v1

作者: Pierre-Eymeric Janolin , Françoise Le Marrec , Erling Ringgaard , Bernard Fraisse , Brahim Dkhil

摘要

通过变温 X 射线衍射研究了多畴铁电 Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 薄膜的结构演化。实验证实了两个临界温度：T*=740K，对应于畴结构的变化 (a/c/a/c 到 a1/a2/a1/a2)，以及 Tc_film = 825K，此时薄膜发生铁电-顺电相变。在所研究的整个温度范围内，薄膜始终保持四方结构。畴结构和晶格参数的演化分别与计算的畴稳定性图和理论温度-失配应变相图非常吻合。

关键词

domain structure ferroelectric thin film Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 X-ray diffraction phase transition domain stability map

引用

@article{arxiv.cond-mat/0703618,
  title  = {Domain structure sequence in ferroelectric Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 thin film on MgO},
  author = {Pierre-Eymeric Janolin and Françoise Le Marrec and Erling Ringgaard and Bernard Fraisse and Brahim Dkhil},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703618},
  year   = {2007}
}

备注

To be pubilshed in Appl. Phys. Lett

MgO 衬底上铁电 Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 薄膜的畴结构序列

摘要

关键词

引用

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