La0.8Sr0.2MnO3薄膜的高温电子行为
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
通过X射线光电子能谱(XPS)研究了La0.8Sr0..2MnO3/SrTiO薄膜的电子结构，实验温度范围为300至1000 K。实验结果表明，薄膜的电子状态在350 K至450 K之间发生离散变化，表明金属-半导体相变可能为离散相变。 在高温(450至1000 K)时，薄膜的原子核心能级和价带的结合能随温度升高而上移，其线宽变窄，这与在低温时观察到的现象不同。这些现象可归因于晶格膨胀及其随温度变化的Jahn-Teller 扭曲。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301385,
title = {High temperature electronic behavior of La0.8Sr0.2MnO3 thin film},
author = {Guotai Tan and S. Dai and P. Duan and H. B. Lu and K. Xie and Y. L. Zhou and Z. H. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301385},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 4 figures. submitted to Phys. Rev. B