晶体 Ba0.5Sr0.5TiO3 薄膜的电性
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
我们采用化学溶液沉积(CSD)方法制备了 p型 Si (100) 上的 Ba0.5Sr0.5TiO3 薄膜. 采用 X 射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和 C-V 表计分析进行薄膜表征. 通过在 3000 rpm 下旋涂 30 秒, 然后在 900°C 下退火 15 小时获得足够质量的等向晶 Ba0.5Sr0.5TiO3. XRD 首选取向为 (100), (010); (110), (111), (200), SEM 在放大 10000 倍下的表面分析显示薄膜呈不均匀, 薄膜厚度为 1100 nm; 电性表征在室温(300 K)下的 MFS(金属-介质-半导体)结构中进行, 采用电容平坦带(CFB)方法, 在 10 KHz 和 100 KHz 频率下分别为 206 pF 和 187 pF, 介电常数在 10 KHz 和 100 KHz 频率下分别为 132.67 和 117.22, 介电损耗在 10 KHz 和 100 KHz 频率下的最小值分别为 5.37% 和 6.43%.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107539,
title = {Electrical Properties of Crystalline Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films},
author = {Irzaman and H. Darmasetiawan and M. Nur Indro S. G. Sukaryo and M Hikam and Na Peng Bo and M. Barmawi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107539},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 4 figures, Presented on International Conference on Material for Advanced Technologies (ICMAT), July, 1 - 6, 2001, Singapore