双模基底偏压控制反应磁控溅射过程中的 \gamma-Al2O3 沉积
等离子体物理
2015-06-16 v1 材料科学
摘要
通过在 500{\deg}C 至 600{\deg}C 的基底温度下，利用额外的任意基底偏压来调节入射离子的能量分布，采用反应磁控溅射法沉积了 Al2O3 薄膜。通过 X 射线衍射 (XRD) 和傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 对薄膜进行了表征。薄膜结构（非晶、纳米晶或晶态）与特征离子能量分布相关联。 evolving 的晶体结构与生长薄膜中不同的原子位移 (dpa) 水平相关，后者源自 TRIM 模拟。对于 500{\deg}C 的基底温度，形成晶态薄膜与非晶或纳米晶薄膜的边界位于 0.9 dpa。对于在 550{\deg}C 下生长的薄膜，该阈值移至 0.6 dpa。
引用
@article{arxiv.1305.4805,
title = {Bimodal substrate biasing to control \gamma-Al2O3 deposition during reactive magnetron sputtering},
author = {Marina Prenzel and Annika Kortmann and Adrian Stein and Achim von Keudell and Farwah Nahif and Jochen M. Schneider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.4805},
year = {2015}
}