不同基板温度下射频磁控溅射沉积纳米复合碳氮化硅薄膜的 Raman 研究
材料科学
2016-11-24 v1
摘要
通过溅射制备的纳米复合 SiCN 薄膜的 Raman 研究表明，随着基板温度从室温升高到 500oC，发生了从大部分 sp2 石墨相到 sp3 碳的转变，这可以从 ID/IG 比值的变化和峰位偏移中观察到。这一过程导致非晶基体中 C3N4 和 Si3N4 微晶的生长，从而使通过纳米压痕获得的硬度和模量增加。然而，在进一步升高的 600oC 温度下，观察到薄膜中 sp2 C 浓度再次增加，并且由于石墨碳相的生长增加，H 和 E 值出现下降。整个过程反映在修改后的 Ferrari Robertson 四阶段 Raman 光谱模型中。
引用
@article{arxiv.1611.07927,
title = {Raman studies on nanocomposite silicon carbonitride thin film deposited by RF magnetron sputtering at different substrate temperatures},
author = {A. S. Bhattacharyya and S. K. Mishra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.07927},
year = {2016}
}
备注
17 Pages, 5 figures