523 K 下磁控溅射沉积 Co-N 薄膜的结构与磁性
材料科学
2017-02-15 v1
摘要
本工作中，我们研究了在基底温度（\Ts）为 523\,K 下使用直流磁控溅射方法沉积的氮化钴（Co-N）薄膜。我们发现，无论溅射期间使用的反应气体流量（\pn）如何，在该温度下形成的 Co-N 相似乎是相同的，N 原子百分比（\pat）约为 5。这与在较低 \Ts 下形成的 Co-N 相相反。对于 \Ts 约为 300\,K 的情况，随着 \pn 增加到 100\,p，可以看到 Co-N 相从 Co(N) \tcn CoN CoN 的演化；而当基底温度增加到 523\,K 时，形成的相是 Co 和 \tcn 的混合物，与溅射期间使用的 \pn 无关。我们使用 X 射线衍射（XRD）探测长程有序，在 Co 吸收边进行 X 射线吸收光谱（XAS）分析局部结构，使用磁光 Kerr 效应（MOKE）和极化中子反射率（PNR）测量样品的磁化强度。使用二次离子质谱（SIMS）对 N 的 \pat 进行定量。测量表明，在 523\,K 下沉积的 Co-N 样品的磁矩略高于体相 Co 磁矩，并且不受用于反应溅射的 \pn 的影响。我们的结果为 Co-N 薄膜的相形成提供了重要见解，本文对此进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1607.08701,
title = {Structural and magnetic properties of Co-N thin films deposited using magnetron sputtering at 523 K},
author = {Nidhi Pandey and Mukul Gupta and Rachana Gupta and Sujay Chakravarty and Neeraj Shukla and Anton Devishvili},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.08701},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 5 figures