Co4N薄膜的结构与磁化
材料科学
2018-03-14 v1
摘要
本工作中，我们研究了通过反应式直流磁控溅射工艺沉积的Co4N薄膜的局域结构与磁化。N原子在面心立方Co晶格中的间隙掺入预计会膨胀结构，而这种膨胀产生有趣的磁性，其特征是比Co更大的磁矩以及Co4N中非常高的自旋极化率。通过优化生长条件，我们制备了晶格参数接近其理论预测值的Co4N薄膜。N浓度使用二次离子质谱法测量。利用体磁化法和极化中子反射率进行的详细磁化测量证实，Co4N中Co的磁矩高于Co的磁矩。
引用
@article{arxiv.1702.03392,
title = {Structure and Magnetization of Co4N Thin Film},
author = {Nidhi Pandey and Mukul Gupta and Rachana Gupta and Parasmani Rajput and Jochen Stahn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.03392},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 4 figures