在石墨烯上生长抗氧化的薄晶态硅纳米结构
材料科学
2020-06-02 v1
摘要
我们报道了在石墨烯衬底上生长硅纳米结构，形式为薄膜或纳米颗粒。这些硅纳米结构被证明是单晶的、空气稳定的和抗氧化性的，这由在约 520 cm-1 处观察到的单晶硅拉曼模式、环境条件下有序表面结构的 STM 图像以及与石墨的肖特基结所表明。超薄硅区域表现出类硅烯行为，包括在约 550 cm-1 处的拉曼模式、STM 中具有与石墨烯或更厚硅明显不同晶格间距的三角晶格结构，以及高达石墨 500 倍的金属导电性。该工作提出了一种在大规模图案化石墨烯衬底上自下而上形成硅纳米结构阵列以制造纳米级硅电子器件的方法。
引用
@article{arxiv.1804.00072,
title = {Growth of Thin Oxidation-Resistive Crystalline Si Nanostructures on Graphene},
author = {Naili Yue and Joshua Myers and Liqin Su and Wentao Wang and Fude Liu and Raphael Tsu and Yan Zhuang and Yong Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.00072},
year = {2020}
}