SiC上石墨烯纳米带的定向自组织
材料科学
2015-05-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
后CMOS石墨烯电子学的实现需要生产半导体石墨烯，而这一直是一个劳动密集型过程。我们展示了通过常规光刻和微电子加工来裁剪碳化硅晶体，从而在4H-SiC{1-10n} (n = 8)晶面（而非惯常的{0001}面）上实现模板化石墨烯生长。这允许石墨烯纳米带的自组织生长，其尺寸由晶面尺寸决定。通过拉曼光谱和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测量确认了优先生长，并展示了原型石墨烯器件的电学表征。在0.24 cm²的SiC芯片上制造超过10,000个顶栅石墨烯晶体管，证明了该工艺的可扩展性，并代表了迄今为止报道的最高石墨烯器件密度。
引用
@article{arxiv.1002.0775,
title = {Directed self-organization of graphene nanoribbons on SiC},
author = {M. Sprinkle and M. Ruan and X. Wu and Y. Hu and M. Rubio-Roy and J. Hankinson and N. K. Madiomanana and C. Berger and W. A. de Heer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0775},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 5 figures