源自氮籽晶 SiC 的宽禁带半导体石墨烯
材料科学
2014-04-16 v4
摘要
基于石墨烯的全碳电子器件一直是一个难以实现的目标。十多年来，无法在该材料中产生显著的带隙阻碍了半导体石墨烯的发展。虽然化学功能化曾被视为制备半导体石墨烯的一条途径，但化学吸附物中的无序性导致迁移率降低，已成为其制备的障碍。我们展示了一种制备半导体石墨烯的新方法，该方法利用少量共价键合的表面氮，并非用于功能化石墨烯，而是作为约束和弯曲石墨烯的手段。我们证明，SiC 上亚单层浓度的氮足以在外延石墨烯生长时将其钉扎在 SiC 界面上，从而导致石墨烯发生屈曲。这种由此产生的石墨烯三维调制在原本连续的金属石墨烯片中打开了大于 0.7eV 的带隙。
引用
@article{arxiv.1306.3196,
title = {Wide-Gap Semiconducting Graphene from Nitrogen-Seeded SiC},
author = {Feng Wang and Gang Liu and Sara Rothwell and Meredith Nevius and Antonio Tejeda and Amina Taleb-Ibrahimi and Leonard Feldman and Philip Cohen and Edward Conrad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.3196},
year = {2014}
}