来自隐藏二维非公度石墨烯相的宽带隙半导体
介观与纳米尺度物理
2017-04-05 v2
摘要
制备可用的半导体形式石墨烯已困扰石墨烯电子学的发展近二十年。如今，随着新制备方法的出现，石墨烯的本征性质得以测量，对半导体石墨烯的探索已开始产生成果。本文所展示的在SiC(0001)上生长的首个石墨烯“缓冲”层即是如此。我们表明，与过去四十年的假设相反，缓冲石墨烯层与SiC并非公度。我们发现的新调制结构解决了一个长期存在的矛盾，即从头计算预期缓冲层为金属性，而实验却发现其为半导体。使用新的非公度结构进行的模型计算表明，缓冲层的半导体性 带特征来源于围绕未扰动石墨烯岛的部分杂化石墨烯非公度边界。
引用
@article{arxiv.1610.02114,
title = {Wide bandgap semiconductor from a hidden 2D incommensurate graphene phase},
author = {Matthew Conrad and Feng Wang and Meredith Nevius and Katherine Jinkins and Arlensiú Celis and Maya Nair and Amina Taleb-Ibrahim and Antonio Tejeda and Yves Garreau and Alina Vlad and Alessandro Coati and Paul Miceli and Edward Conrad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.02114},
year = {2017}
}
备注
17 pages, 4 figures, 1 table, 47 references, supplemental material: 15 pages, 4 figures