在SiC(0001)上生长的半导体性缓冲石墨烯的结构与演化

M. Conrad; J. Rault; Y. Utsumi; Y. Garreau; A. Vlad; A. Coati; J. -P. Rueff; P. F. Miceli; E. H. Conrad

doi:10.1103/PhysRevB.96.195304

在SiC(0001)上生长的半导体性缓冲石墨烯的结构与演化

材料科学 2017-11-22 v1

作者: M. Conrad , J. Rault , Y. Utsumi , Y. Garreau , A. Vlad , A. Coati , J. -P. Rueff , P. F. Miceli , E. H. Conrad

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摘要

利用高度受控的SiC(0001)上石墨烯覆盖度，我们研究了在SiC界面上生长的第一层石墨烯的结构。该层称为缓冲层，是半导体性的。利用X射线反射率和X射线驻波分析，我们对有和没有上方额外单层石墨烯层的缓冲层结构进行了比较研究。我们表明，不超过26%的缓冲层碳与SiC界面中的Si共价键合。我们还表明，顶部SiC双层是Si耗尽的，并且可能是先前在该系统中观察到的非公度性的原因。当缓冲层上方形成单层石墨烯层时，缓冲层变得褶皱减少，并出现与SiC界面键合几何变化的迹象。同时，整个SiC界面变得更加无序，推测是由于较高生长温度相关的熵所致。

关键词

半导体缓冲石墨烯 SiC(0001) 缓冲层 X射线反射率 X射线驻波共价键合硅耗尽

引用

@article{arxiv.1707.02232,
  title  = {The structure and evolution of semiconducting buffer graphene grown on SiC(0001)},
  author = {M. Conrad and J. Rault and Y. Utsumi and Y. Garreau and A. Vlad and A. Coati and J. -P. Rueff and P. F. Miceli and E. H. Conrad},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1707.02232},
  year   = {2017}
}

备注

12 pages, 9 figures

在SiC(0001)上生长的半导体性缓冲石墨烯的结构与演化

摘要

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