利用 Si$_{1-x}$Ge$_x$ 缓冲层在 Si 上生长 3C-SiC
应用物理
2020-01-17 v1 材料科学
摘要
立方碳化硅(3C-SiC)是用于高功率和新型器件的新兴材料，但高质量 3C-SiC 层的开发仍是一项科学和技术挑战，尤其是在 Si 衬底上生长时。在本次报告中，我们讨论在外延层与衬底之间使用缓冲层，以降低缺陷密度并改善 SiC 外延膜的整体质量。特别地，我们发现外延膜的形貌和质量取决于碳化温度以及 Si1-xGex/SiC 界面附近 Ge 的浓度。界面处的 Ge 偏析影响薄膜质量，尤其当界面附近 [Ge]>12% 时会导致多晶形成，而接近 10% 时则产生镜面状形貌。此外，通过精细调节 Ge 浓度与碳化温度，可获得高于在裸硅上生长 SiC 的晶体质量。
引用
@article{arxiv.2001.05817,
title = {3C-SiC grown on Si by using a Si$_{1-x}$Ge$_x$ buffer layer},
author = {M. Zimbone and M. Zielinski and E. G. Barbagiovanni and C. Calabretta and F. La Via},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.05817},
year = {2020}
}
备注
15 pages, 6 figures