定制碳化硅表面——关于石墨烯及其缓冲层外延生长的形貌研究
材料科学
2018-07-04 v3
摘要
我们利用原子力显微镜研究了石墨烯缓冲层的生长以及碳化硅衬底表面涉及的台阶聚束行为。局部缓冲层域的形成被确定为不期望的高台阶边缘的起源，这与台阶动力学的一般模型预测非常吻合。所应用的聚合物辅助升华生长方法表明，抑制这种行为的关键原理是缓冲层的均匀成核。通过这种方式，碳化硅表面得以稳定，从而在各种碳化硅衬底表面上石墨烯生长过程中可以保持超平坦表面。对实验结果的分析描述了不同的生长模式，通过强调缓冲层成核和临界质量传输过程的重要性，扩展了当前对外延石墨烯生长的理解。
引用
@article{arxiv.1704.08078,
title = {Tailoring the SiC surface - a morphology study on the epitaxial growth of graphene and its buffer layer},
author = {Mattias Kruskopf and Klaus Pierz and Davood Momeni Pakdehi and Stefan Wundrack and Rainer Stosch and Andrey Bakin and Hans W. Schumacher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.08078},
year = {2018}
}
备注
18 pages, 10 figures edited type setting and acknowledgments