揭示 SiC(0001) 与外延石墨烯之间缓冲层的原子结构
介观与纳米尺度物理
2013-08-05 v2
摘要
在 SiC(0001) 表面（SiC 的硅面）上，外延石墨烯是通过基底中 Si 的升华获得的。石墨烯薄膜由一个富碳界面层（以下简称缓冲层）与体相隔开，该缓冲层部分与基底共价结合。其结构与电子性质目前存在争议。在本工作中，我们报告了对缓冲层以及通过氢插层将缓冲层与 SiC(0001) 基底解耦而获得的准独立单层石墨烯（QFMLG）的扫描隧道显微镜（STM）研究。缓冲层的原子分辨率 STM 图像显示，在该界面层的周期性结构起伏内，原子的排列在拓扑上与石墨烯相同。在氢插层之后，我们表明所得的 QFMLG 摆脱了周期性起伏，并且没有可检测到的缺陷位点。
引用
@article{arxiv.1111.4918,
title = {Revealing the atomic structure of the buffer layer between SiC(0001) and epitaxial graphene},
author = {Sarah Goler and Camilla Coletti and Vincenzo Piazza and Pasqualantonio Pingue and Francesco Colangelo and Vittorio Pellegrini and Konstantin V. Emtsev and Stiven Forti and Ulrich Starke and Fabio Beltram and Stefan Heun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.4918},
year = {2013}
}