SiC(0001) 上 Sb 插层准自由站立石墨烯的垂直结构
材料科学
2022-10-24 v4
摘要
利用正入射 X 射线驻波技术以及低能电子显微镜，我们研究了通过锑插层于 重构的石墨化 6H-SiC(0001) 表面（也称为第零层石墨烯）之下所获得的准自由站立单层石墨烯（QFMLG）的结构。我们发现 Sb 插层使 QFMLG 与衬底良好解耦。QFMLG 到 Sb 层的距离几乎等于 C 和 Sb 预期的范德华键合距离。Sb 插层本身为单原子层、平坦，且位于更靠近衬底处，几乎处于共价 Sb-Si 键长之距。所有数据均与 Sb 位于 SiC 体最上层 Si 原子顶端相一致。
引用
@article{arxiv.2111.08926,
title = {Vertical structure of Sb-intercalated quasifreestanding graphene on SiC(0001)},
author = {You-Ron Lin and Susanne Wolff and Philip Schädlich and Mark Hutter and Serguei Soubatch and Tien-Lin Lee and F. Stefan Tautz and Thomas Seyller and Christian Kumpf and François C. Bocquet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.08926},
year = {2022}
}