H 等离子体刻蚀 SiC(0001) 上石墨烯的 STM/S 观测
介观与纳米尺度物理
2019-07-24 v1
摘要
对 SiC(0001) 上外延生长的单层石墨烯进行 H 等离子体刻蚀，并利用扫描隧道显微镜与谱学进行研究。刻蚀产生了单原子深度的部分六边形纳米坑，以及高度约 0.12 nm 且在 = 78 K 下稳定的隆起区域。隆起区域关于费米能级对称的隧穿谱以及缺乏 褶皱表明，在这些区域中碳缓冲层与 SiC 衬底解耦，并在原本位于缓冲层上的单层石墨烯处出现了准自由站立双层石墨烯。这是如同先前关于在原子氢中热处理的 SiC(0001) 上石墨烯的报道一般，由插层氢对 SiC 衬底钝化所导致的结果。
引用
@article{arxiv.1812.06402,
title = {STM/S Observations of Graphene on SiC(0001) Etched by H-plasma},
author = {André E. B. Amend and Tomohiro Matsui and Hiroki Hibino and Hiroshi Fukuyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.06402},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 5 figures, ACSIN-14 and ICSPM-26 proceedings