通过氢插层在SiC上获得准自由站立外延石墨烯
材料科学
2009-12-11 v1
摘要
通过氢插层在SiC(0001)上获得了准自由站立的外延石墨烯。氢原子移动到6√3重构的初始碳层与SiC衬底之间。对于外延石墨烯，顶层硅原子原本与该缓冲层共价键合，现在则被氢键饱和。缓冲层转变为具有典型线性π能带的准自由站立石墨烯单层。类似地，外延石墨烯单层转变为解耦的双层。该插层在空气中稳定，可通过退火至约900摄氏度逆转。
引用
@article{arxiv.0911.1953,
title = {Quasi-free Standing Epitaxial Graphene on SiC by Hydrogen Intercalation},
author = {C. Riedl and C. Coletti and T. Iwasaki and A. A. Zakharov and U. Starke},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.1953},
year = {2009}
}
备注
Accepted for publication in Physical Review Letters