氢在 SiC/外延石墨烯界面的插层
材料科学
2018-01-08 v1
摘要
我们测量了在 SiC 硅面上生长的外延石墨烯中氢插层于中红外光谱范围内的光学吸收。我们采用衰减全反射几何来增强与表面和 SiC/石墨烯界面相关的吸收。外延石墨烯样品已在 790 至 1250C 的温度范围内进行插层，并与氢蚀刻 SiC 的参考样品进行比较。我们发现尽管 Si-H 键在低至 790C 的温度下形成，但良好发展的键序仅在超过 1000C 温度插层的外延石墨烯中达到。我们还表明，当样品储存在环境空气中时，氢插层在几天的时间尺度上退化。光学光谱显示由于插层过程残留的原子氢，在 SiC/石墨烯界面上形成了乙烯基和硅烷基官能团。
引用
@article{arxiv.1801.01356,
title = {Intercalation of hydrogen in the SiC/epitaxial graphene interface},
author = {Jan Kunc and Martin Rejhon and Pavel Hlídek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.01356},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures, research article