硅嵌入于单层石墨下：调控 SiC(0001) 界面 Mott 态
材料科学
2025-10-07 v1
摘要
嵌入已被证明是调控自由石墨层电子性质且稳定化嵌入材料在二维配置下具有强大的作用。本文考察了在 SiC(0001) 上的等向性石墨的硅嵌入，采用了三种制备方法。 dangling bond 态在界面上发生了由显著本位排斥引起的 Mott-Hubbard 金属-绝缘体转变。与不含石墨的类似体系比较，揭示了石墨导电电子对本位排斥的屏蔽能力。该体系可作为可变带隙 Mott 绝缘体的模板，用于进一步研究。
引用
@article{arxiv.2506.07545,
title = {Si Intercalation Beneath Epitaxial Graphene: Modulating Mott States at the SiC(0001) Interface},
author = {Niclas Tilgner and Zamin Mamiyev and Susanne Wolff and Philip Schädlich and Fabian Göhler and Christoph Tegenkamp and Thomas Seyller},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.07545},
year = {2025}
}