SiC(0001) 上的锂插层石墨烯：一项 STM 研究
材料科学
2017-09-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们通过扫描隧道显微镜（STM）和低能电子衍射（LEED）对锂暴露在碳化硅上石墨烯的影响进行了系统研究。我们研究了在 Si 面 SiC 上的外延单层石墨烯和缓冲层表面上的 Li 沉积。在室温下，Li 立即在 SiC 衬底和缓冲层之间的界面处插层，并将缓冲层转变为准自由站立石墨烯。这一结论得到了 LEED 和 STM 证据的支持。我们表明，插层是通过 SiC 台阶位点或石墨烯缺陷发生的。我们获得了沉积的 Li 原子数量与 SiC 晶体表面可用的 Si 键数量之间的良好定量一致性。通过 STM 分析，我们能够确定在 SiC 衬底和缓冲层之间的界面处由 Li 插层引起的层间距。
引用
@article{arxiv.1706.01386,
title = {Li-intercalated Graphene on SiC(0001): an STM study},
author = {Sara Fiori and Yuya Murata and Stefano Veronesi and Antonio Rossi and Camilla Coletti and Stefan Heun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.01386},
year = {2017}
}