C 面 SiC{0001} 上石墨烯缓冲层的形成

利用低能电子衍射（LEED）和低能电子显微镜（LEEM），研究了在富硅环境中通过加热 SiC(000-1) 表面（{0001} 表面的 C 面）制备的石墨烯薄膜。在石墨化后，通过原位 LEED 观察到具有 $\sqrt{43} \times \sqrt{43}$-R7.6$^{\circ}$ 对称性的界面。氧化后，该界面呈现 $\sqrt{3} \times \sqrt{3}$-R30$^{\circ}$ 对称性。电子反射率测量表明，这些界面结构源于在石墨烯和 SiC 之间形成的类石墨烯“缓冲层”，类似于在 Si 面 SiC 上观察到的情况。通过对氧化后 C 面表面的动力学 LEED 结构计算，发现其由位于硅酸盐（Si2O3）层之上的石墨烯层组成，该硅酸盐层具有先前在裸 SiC(000-1) 表面上研究过的众所周知结构。基于此结果，讨论了氧化前界面的结构。