通过氧化实现石墨烯与SiC(0001)的解耦
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
当在SiC(0001)上形成外延石墨烯层时，第一层碳层（被称为“缓冲层”）虽然相对容易合成，但不具备石墨烯理想的电学性质。由于与SiC衬底的共价键合破坏了石墨烯的π能带，其导电性很差。在这里，我们展示了可以通过使用低温、与CMOS兼容且不损坏石墨烯层的工艺，在缓冲层与SiC衬底之间插入一层薄氧化层，从而恢复石墨烯的π能带。
引用
@article{arxiv.1003.5702,
title = {Decoupling Graphene from SiC(0001) via Oxidation},
author = {S. Oida and F. R. McFeely and J. B. Hannon and R. M. Tromp and M. Copel and Z. Chen and Y. Sun and D. B. Farmer and J. Yurkas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5702},
year = {2015}
}