SiC 上石墨烯的带隙调控
材料科学
2018-10-05 v1 应用物理
摘要
本文给出了一种在石墨烯中载流子能谱上调控带隙的方案。该方案得到了一系列数值模拟的支持，这些模拟的灵感来源于基于周期性波纹石墨烯（例如高温下在 SiC 上生长的缓冲层）中带隙开启的解析结果。
引用
@article{arxiv.1810.01918,
title = {Band Gap Modulation of Graphene on SiC},
author = {Stefan Kolev and Victor Atanasov and Hristiyan Aleksandrov and Teodor Milenov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.01918},
year = {2018}
}
备注
accepted in EPJ B