应变诱导的石墨烯晶界电导调制
介观与纳米尺度物理
2012-08-31 v1
摘要
晶界（GBs）普遍存在于通过各种生长方法获得的多晶石墨烯材料中。此前研究表明，晶界可以打开相当大的电输运能隙。另一方面，具有晶界的多晶石墨烯是一种原子级薄的膜，能够承受极大的应变。在此，我们利用原子量子输运数值模拟，研究了石墨烯晶界电输运性质的调制。结果表明，输运能隙和电导的调制强烈依赖于晶界的拓扑结构。某些晶界的输运能隙可通过应变显著展宽，这对于提高潜在晶体管应用中的开关比以及作为单层应变传感器的应用非常有用。
引用
@article{arxiv.1202.2297,
title = {Strain induced conductance modulation in graphene grain boundary},
author = {S. Bala Kumar and Jing Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.2297},
year = {2012}
}
备注
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl203968j