石墨烯纳米带的能带隙工程
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们研究了通过光刻图案化制备的石墨烯带状结构中的电子输运，其中电荷载流子的横向限制在电荷中性点附近产生了能隙。单个石墨烯层与金属电极接触，并被图案化成不同宽度和不同晶体取向的带状结构。温度相关的电导测量表明，更窄的带状结构会打开更大的能隙。通过在低温下非线性响应区间的电导测量，我们研究了这些能隙的大小。我们发现能隙与带状结构的宽度成反比，从而证明了通过光刻工艺对石墨烯纳米结构的带隙进行工程化设计的能力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702511,
title = {Energy Band Gap Engineering of Graphene Nanoribbons},
author = {Melinda Y. Han and Barbaros Oezyilmaz and Yuanbo Zhang and Philip Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702511},
year = {2009}
}
备注
7 pages including 4 figures