六方氮化硼双层石墨烯体系中的能隙调控
材料科学
2010-11-10 v1
摘要
我们采用紧束缚方法和密度泛函理论计算，研究了最稳定构型下石墨烯/六方氮化硼双层体系的能带结构。研究表明，垂直于层方向施加的电场会显著改变整个体系的电子结构，包括能带的移动、反交叉及其他形变，从而可以控制能隙的大小。结果表明，偏置体系的能带结构可根据纳米电子学应用的具体需求进行定制。预计其载流子迁移率将高于双层石墨烯器件。
引用
@article{arxiv.1002.1697,
title = {Energy gap tuning in graphene on hexagonal boron nitride bilayer system},
author = {J. Slawinska and I. Zasada and Z. Klusek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.1697},
year = {2010}
}
备注
10 pages, 7 figures, submitted to Physical Review B