石墨烯–hBN 异质结构中的莫尔效应
介观与纳米尺度物理
2021-01-04 v2 材料科学
摘要
将石墨烯封装于六方氮化硼（hBN）中具有若干优势：迄今报道的最高迁移率以此方式实现，且借助保护性 hBN 层可对石墨烯进行精确纳米结构化。然而，由于石墨烯与 hBN 的晶格常数不同，以及石墨烯与 hBN 晶格之间的扭转角，可能产生微妙效应。在此，我们使用一种近期发展的模型，该模型允许我们对这类结构进行能带结构与磁输运计算，并表明只要恰当考虑莫尔（moiré）物理，即便对于诸如无序石墨烯或具有相对扭转角的单层 hBN 上的反点晶格等复杂结构，也能与实验达成极好的一致。此类计算对于扭转电子学（twistronic）器件的定量建模至关重要。
引用
@article{arxiv.2011.13014,
title = {Moir\'{e} effects in graphene--hBN heterostructures},
author = {Yongping Du and Ning Xu and Xianqing Lin and Antti-Pekka Jauho},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.13014},
year = {2021}
}