结构弛豫对六方氮化硼上石墨烯电子结构的影响
介观与纳米尺度物理
2015-11-05 v1 材料科学
计算物理
摘要
我们对具有真实莫尔条纹的 hBN 上石墨烯的电子、光学和输运性质进行了计算。这些莫尔条纹是通过使用全原子模型进行结构弛豫产生的。结果表明，这种弛豫对电子性质至关重要。我们描述了实验观测到的特征，如额外的狄拉克点以及磁场中能级的“Hofstadter 蝴蝶”结构。我们发现电子结构对局域能隙的多体重整化非常敏感。
引用
@article{arxiv.1507.03146,
title = {Effect of structural relaxation on the electronic structure of graphene on hexagonal boron nitride},
author = {G. J. Slotman and M. M. van Wijk and Pei-Liang Zhao and A. Fasolino and M. I. Katsnelson and Shengjun Yuan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.03146},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 6 figures. Supplementary material is available at http://www.theorphys.science.ru.nl/people/yuan/attachments/sm_hbn.pdf