六方氮化硼衬底诱导的石墨烯能隙
材料科学
2015-05-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用从头算密度泛函计算确定了晶格匹配的六方氮化硼（h-BN）衬底上石墨烯片的电子结构。最稳定的构型是一个碳原子位于硼原子正上方，另一个位于 BN 环中心上方。由此导致的两个碳位点的不等价性，使得石墨烯在狄拉克点处打开了 53 meV 的能隙，并赋予狄拉克费米子有限质量。石墨烯片在 BN 衬底上的其他取向也会产生类似的能隙和质量。BN 表面诱导的能隙可以极大地改善基于石墨烯的场效应晶体管的室温夹断特性。
引用
@article{arxiv.0704.1994,
title = {Substrate-induced bandgap in graphene on hexagonal boron nitride},
author = {Gianluca Giovannetti and Petr A. Khomyakov and Geert Brocks and Paul J. Kelly and Jeroen van den Brink},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.1994},
year = {2015}
}
评论
5 pages, 4 figures, Phys. Rev. B, in press