石墨烯与六方氮化硼反点晶格中的带隙工程：第一性原理研究
材料科学
2013-11-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，研究了反点晶格对石墨烯和六方氮化硼（h-BN）电子结构的影响。对于石墨烯，我们发现当反点晶格沿锯齿形（zigzag）方向排列时，带隙的开启与谷间散射有关，且不遵循文献中此前针对扶手椅形（armchair）方向反点晶格提出的简单标度律。对于 h-BN，计算表明反点晶格会导致带隙减小。结合碳原子掺杂，h-BN 反点晶格的带隙可降至 2 eV 以下，这可能在发光器件或光电化学领域具有应用前景。
引用
@article{arxiv.1311.5704,
title = {Band gap engineering in graphene and hexagonal BN antidot lattices: A first principles study},
author = {Aihua Zhang and Hao Fatt Teoh and Zhenxiang Dai and Yuan Ping Feng and Chun Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.5704},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 3 figures