石墨烯反点晶格上的石墨烯：电子与输运性质

众所周知，当通过施加垂直电场打破层对称性时，石墨烯双层系统会表现出带隙。由此产生的能带结构类似于具有抛物线色散的传统半导体。在此，我们引入一种新型石墨烯双层异质结，其中单层石墨烯置于具有规则反点晶格的另一层石墨烯之上。我们将此类石墨烯系统命名为 GOAL：graphene on graphene antidot lattice（石墨烯覆盖石墨烯反点晶格）。通过改变结构几何形状，可进行能带结构工程以获得线性色散能带（伴随高迁移率），同时仍可通过垂直电场使其产生带隙。我们分析了各类 GOAL 的电子结构和输运性质，并得出关于其性质的一般性结论，以辅助实验设计。