无序石墨烯反点晶格器件中的电子输运
介观与纳米尺度物理
2014-09-09 v2
摘要
石墨烯的纳米结构化部分源于在电子能带结构中打开带隙的需求。特别是，以反点晶格 (antidot lattice) 形式周期性穿孔的石墨烯片可能具有此类带隙。此类系统已被研究以应用于晶体管或波导器件。虽然原子级精确的系统已预测出所需的特性，但制造方法会在单个反点的形状、位置和边缘构型中引入显著的无序度。我们计算了各种有限石墨烯反点器件的电子输运特性，以确定此类无序对其性能的影响。研究发现，适度的几何无序会对包含小而紧密排列反点的器件产生不利影响，而这些器件在 pristine 晶格中具有最佳性能。较大的反点表现出一系列强烈依赖于其边缘几何形状的效应。具有扶手椅型边缘 (armchair edges) 的反点系统显示出比由锯齿型边缘 (zigzag edges) 或混合边缘反点组成的系统更鲁棒的输运带隙。无序在波导几何结构中的作用略有不同，它可以通过扩展观察到波导行为的能量范围来增强性能。
引用
@article{arxiv.1407.0311,
title = {Electronic transport in disordered graphene antidot lattice devices},
author = {Stephen R. Power and Antti-Pekka Jauho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.0311},
year = {2014}
}
备注
16 pages, 13 figures, 1 table