石墨烯反点晶格中的弹道输运
介观与纳米尺度物理
2015-12-11 v1
摘要
如果将来自衬底和环境的影响降至最低，石墨烯样品可以具有非常高的载流子迁移率。将石墨烯片嵌入两侧均为六方氮化硼（hBN）的异质结构中，已被证明是实现高体迁移率的特别有效的方法。纳米图形化会给石墨烯带来额外损伤，并通过边缘无序大幅降低样品迁移率。在 hBN 衬底而非 SiO2 上制备刻蚀的石墨烯纳米结构并不能解决问题，因为输运特性仍然由边缘粗糙度主导。在此我们表明，在纳米尺度上刻蚀完全封装的石墨烯更为温和，且可以保持高迁移率。为此，我们制备了石墨烯反点晶格，并在其中观察到了源于弹道输运的磁输运特征。由于我们样品中的晶格周期较短，我们还可以探索经典输运与量子输运区域之间的边界。
引用
@article{arxiv.1509.05207,
title = {Ballistic transport in graphene antidot lattices},
author = {Andreas Sandner and Tobias Preis and Christian Schell and Paula Giudici and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Dieter Weiss and Jonathan Eroms},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.05207},
year = {2015}
}