用于高质量石墨烯电子器件的氮化硼衬底
介观与纳米尺度物理
2010-10-19 v1
摘要
在标准 SiO2 衬底上的石墨烯器件具有高度无序性，其特性远低于石墨烯预期的本征性质[1-12]。虽然将石墨烯悬浮于衬底之上可以显著提高器件质量[13,14]，但这种几何结构对器件的架构和功能施加了严重限制。在衬底支撑的几何结构中实现类似悬浮的样品质量，对于石墨烯技术的未来发展至关重要。在本快报中，我们报告了通过机械转移工艺，在单晶六方氮化硼 (h-BN) 衬底上制备和表征高质量剥离单层和双层石墨烯 (MLG 和 BLG) 器件的结果。变温磁输运测量表明，与 SiO2 支撑的器件相比，h-BN 上的石墨烯器件表现出更高的迁移率、更低的载流子不均匀性和更低的本征掺杂。以可控方式组装晶体层状材料的能力，为石墨烯电子学的新进展奠定了基础，并使得实现更复杂的石墨烯异质结构成为可能。
引用
@article{arxiv.1005.4917,
title = {Boron nitride substrates for high-quality graphene electronics},
author = {C. R. Dean and A. F. Young and I. Meric and C. Lee and L. Wang and S. Sorgenfrei and K. Watanabe and T. Taniguchi and P. Kim and K. L. Shepard and J. Hone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.4917},
year = {2010}
}
备注
20 pages (includes supplementary info), 7 figures