氮化硼衬底上石墨烯的电导率
介观与纳米尺度物理
2011-03-17 v1 材料科学
摘要
我们从理论上计算了六方氮化硼 (h-BN) 衬底上单层和双层石墨烯的无序限制电导率，并将我们的理论结果与近期的实验结果进行了比较。该比较直接定量估计了 h-BN 上石墨烯系统中短程无序和长程无序的潜在无序强度。我们发现，与相应的 SiO 衬底情况相比，石墨烯和 h-BN 之间良好的界面质量导致带电杂质散射受到强烈抑制，从而为 h-BN 上的石墨烯系统产生了极高的迁移率。
引用
@article{arxiv.1101.0299,
title = {Conductivity of graphene on boron nitride substrates},
author = {S. Das Sarma and E. H. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.0299},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 4 figures