六方氮化硼上生长的石墨烯畴的边缘控制
材料科学
2017-08-21 v1
摘要
石墨烯的边缘结构对其电子性质有显著影响。然而，在绝缘衬底上控制石墨烯畴的边缘结构仍具挑战性。在此，我们通过改变工作气体的比例，演示了六方氮化硼上石墨烯畴的边缘控制。借助于原子力显微镜测量获得的莫尔条纹和原子分辨率图像，确定了边缘方向。人们认为，石墨烯边缘的变异主要归因于扶手椅型和锯齿型边缘生长速率的不同。本项工作指出了一种在 h-BN 上制备石墨烯纳米带的潜在方法。
引用
@article{arxiv.1706.01655,
title = {Edge Control of Graphene Domains Grown on Hexagonal Boron Nitride},
author = {Lingxiu Chen and Haomin Wang and Shujie Tang and Li He and Hui Shan Wang and Xiujun Wang and Hong Xie and Tianru Wu and Hui Xia and Tianxin Li and Xiaoming Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.01655},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 4 figures