嵌入六方氮化硼沟槽中的取向石墨烯纳米带
介观与纳米尺度物理
2017-03-10 v1 材料科学
摘要
石墨烯纳米带（GNRs）是超窄的石墨烯条带，有潜力用于高性能的基于石墨烯的半导体电子器件。然而，在介电衬底上受控生长 GNRs 仍然是一个挑战。在此，我们报告了利用化学气相沉积法，直接在六方氮化硼衬底上成功生长出边缘平滑且宽度可控的 GNRs。该方法基于一种模板生长方式，允许在六方氮化硼上的纳米沟槽中进行单层 GNRs 的面内外延，且其边缘沿锯齿方向。嵌入的 GNR 沟道展现出优异的电子性质，甚至在室温下也是如此。这种与集成电路工艺兼容的 GNRs 面内异质集成，创造了宽度仅为几个苯环的带隙沟道，从而能够开发基于 GNRs 的数字集成电路。
引用
@article{arxiv.1703.03145,
title = {Oriented Graphene Nanoribbons Embedded in Hexagonal Boron Nitride Trenches},
author = {Lingxiu Chen and Li He and Hui Shan Wang and Haomin Wang and Shujie Tang and Chunxiao Cong and Hong Xie and Lei Li and Hui Xia and Tianxin Li and Tianru Wu and Daoli Zhang and Lianwen Deng and Ting Yu and Xiaoming Xie and Mianheng Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.03145},
year = {2017}
}
备注
32 pages, 4 figures, Supplementary information