面向六方氮化硼中嵌入石墨烯纳米带的手性控制
介观与纳米尺度物理
2020-09-29 v1
摘要
具有相似晶格但电学性质不同的二维材料的面内集成生长，可为实现原子厚度的集成电路提供一条有前景的途径。然而，在 hBN 晶格中制备边缘特异的 GNR 对现有方法仍是一项巨大挑战。本文我们开发了一种两步生长方法，并成功分别实现了嵌入 hBN 中宽度小于 5 nm 的锯齿形和扶手椅形 GNR。进一步的输运测量揭示，宽度小于 7 nm 的锯齿形 GNR 呈现带隙 opening 与宽度成反比，而窄扶手椅形 GNR 在带隙-宽度关系中表现出一定涨落。这种 hBN 中边缘特异 GNR 的集成横向生长为原子薄层带来了半导体构建模块，并将为实现高质量绝缘 hBN 衬底上的复杂纳米级电路提供一条有前景的途径。
引用
@article{arxiv.2009.12822,
title = {Towards Chirality Control of Graphene Nanoribbons Embedded in Hexagonal Boron Nitride},
author = {Hui Shan Wang and Lingxiu Chen and Kenan Elibol and Li He and Haomin Wang and Chen Chen and Chengxin Jiang and Chen Li and Tianru Wu and Chun Xiao Cong and Timothy J. Pennycook and Giacomo Argentero and Daoli Zhang and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Wenya Wei and Qinghong Yuan and Jannik C. Meyer and Xiaoming Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.12822},
year = {2020}
}
备注
84 pages,46 figures