氮化硼的二维与一维蜂窝结构
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
本文使用第一性原理平面波方法，对氮化硼（BN）的二维和一维蜂窝结构进行了系统研究。二维（2D）类石墨烯BN是具有离子键的宽带隙半导体。声子色散曲线证明了2D BN薄片的稳定性。准一维扶手椅型BN纳米带是带有边缘态的非磁半导体。当B和N被氢原子钝化后，这些边缘态消失且带隙增大。裸露的锯齿型BN纳米带呈金属性，但当其两边均被氢钝化时则变为铁磁半导体。然而，发现其磁性基态、电子能带结构和带隙强烈依赖于纳米带的B边缘还是N边缘被氢饱和。扶手椅型和锯齿型纳米带中的空位缺陷也会影响磁态和电子结构。为了揭示维度效应，将这些性质与各种3D BN晶体和1D BN原子链的性质进行了对比。
引用
@article{arxiv.0812.4454,
title = {Two and One-dimensional Honeycomb Structure of Boron Nitride},
author = {M. Topsakal and E. Akturk and S. Ciraci},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.4454},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 10 figures, 1 table